Монолитные интегральные схемы

GaAs и GaN СВЧ монолитных интегральных схем (СВЧ МИС), а также дискретных транзисторов и диодов предназначены для использования в телекоммуникационной и измерительной аппаратуре, выпускаемой фирмой, а также для удовлетворения нужд предприятий электронной отрасли РФ.  

Производственная технологическая линия обеспечивает изготовление GaAs СВЧ МИС на основе pHEMT и mHEMT с длиной затвора 500, 250 и 150 нм, а также GaN HEMT с длиной затвора 250 и 150 нм. Проектная производительность линии составляет 100 пластин диаметром 100 мм в месяц. В настоящее время ведётся разработка технологий производства GaAs СВЧ МИС на основе транзисторов с длиной затвора 100 нм и 70 нм, предназначенных для работы в частотном диапазоне до 300 ГГц.  

Усилители:

- GaAs МИС малошумящего усилителя Х-диапазона МР531;
- GaAs МИС буферного усилителя Х-диапазона МР541;
- GaAs МИС широкополосного усилителя 1-4 ГГц МР502;
- GaAs МИС сверхширокополосного усилителя МР540.

Фазовращатели:

- GaAs МИС двухразрядного фазовращателя L-диапазона частот LFL1-01;
- GaAs МИС двухразрядного фазовращателя L-диапазона частот LFL2-01;
- GaAs МИС двухразрядного фазовращателя S-диапазона частот MP301;
- GaAs МИС двухразрядного фазовращателя S-диапазона частот MP302;
- GaAs МИС трехразрядного фазовращателя Х-диапазона частот PFXB-01;
- GaAs МИС трехразрядного фазовращателя Х-диапазона частот PFXМ-02.

Аттенюаторы:

- GaAs МИС дискретного СВЧ аттенюатора PAT-01;
- GaAs МИС дискретного СВЧ аттенюатора МР106.

Коммутаторы:

- GaAs МИС двухпозиционного СВЧ коммутатора PSW-01;
- GaAs МИС двухпозиционного СВЧ коммутатора MP201;
- GaAs МИС двухпозиционного СВЧ коммутатора MP202;
- Серия GaAs pin-диодных коммутаторов.

Дискретные компоненты:

- Серия GaAs диодов с барьером Шоттки DS-401-0x;
- GaAs pin-диод с балочными выводами;
- GaAs детекторный диод ZB-27;
- Серия защитных GaAs PIN диодов.

Подробную информацию о каталоге GaAs и GaN СВЧ монолитных интегральных схем, а также дискретных транзисторов и диодов можно посмотреть здесь.